RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB
Сравнить
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB против Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Средняя оценка
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
38
Около -41% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.3
15.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.8
12.0
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
38
27
Скорость чтения, Гб/сек
15.5
18.3
Скорость записи, Гб/сек
12.0
15.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
19200
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2283
3899
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FB 16GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2400 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZNC 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3000D 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C18 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Corsair CMWX8GD3600C18W2D 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905625-097.A00G 16GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 8GB 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Ramaxel Technology RMSA3330MJ78HBF-3200 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMR32GX4M4D3200C16 8GB
‹
›
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link