RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB
Porównaj
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Wynik ogólny
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
19200
Wokół strony 1.33% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
38
Wokół strony -41% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.3
15.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.8
12.0
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
27
Prędkość odczytu, GB/s
15.5
18.3
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
15.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
19200
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2283
3899
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMK16GX4M2K4333C19 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMT128GX4M8C3000C15 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Essencore Limited KD48GS88C-32N2200 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
Mushkin 991586 2GB
Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-TF 32GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston CBD32D4S2D8HD-16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Mushkin 99[2/7/4]189F 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-4400C17-8GVK 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Corsair CMD16GX4M2A2666C15 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Crucial Technology CB16GU2666.C8ET 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSK 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link