RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
Сравнить
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB против Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Средняя оценка
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
12.0
11.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
21300
Около 1.2% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
35
38
Около -9% меньшая задержка
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
38
35
Скорость чтения, Гб/сек
15.5
15.5
Скорость записи, Гб/сек
12.0
11.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
21300
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2283
2903
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4R.M8FE1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMK16GX4M2B3733C17 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16-R 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8F 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Mushkin 99[2/7/4]189F 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston 99U5625-015.A00G 16GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMK32GX4M2Z2400C16 16GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link