RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
Porównaj
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Wynik ogólny
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.0
11.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
21300
Wokół strony 1.2% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
38
Wokół strony -9% niższe opóźnienia
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
35
Prędkość odczytu, GB/s
15.5
15.5
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
11.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
21300
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2283
2903
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Kingston CBD26D4S9D8ME-16 16GB
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
SK Hynix HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
INTENSO M418039 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZ 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA41GU7AFR8N-TF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK32GX4M2A2400C14 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston 9905599-020.A00G 8GB
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
Kingston KHX21334D4/8G 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston CBD32D4S2D8HD-16 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CMT32GX4M2Z3200C16 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBR1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link