RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Сравнить
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB против Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Средняя оценка
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.5
9.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.0
6.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
17000
Около 1.51% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
32
38
Около -19% меньшая задержка
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
38
32
Скорость чтения, Гб/сек
15.5
9.2
Скорость записи, Гб/сек
12.0
6.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
17000
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2283
2017
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMK128GX4M4E3200C16 32GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMD16GX4M4A2800C16 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16G
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Apacer Technology D12.2324WT.001 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMWX8GD3600C18W2D 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CM4S16GL3200K18K2 16GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Corsair CMK16GX4M2A2400C14 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Apacer Technology 78.C2GF2.AU00B 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMK64GX4M4A2133C13 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMK32GX4M2F4000C19 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link