RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Сравнить
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB против Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Средняя оценка
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
38
44
Около 14% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.5
10.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.0
8.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
21300
Около 1.2% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
38
44
Скорость чтения, Гб/сек
15.5
10.6
Скорость записи, Гб/сек
12.0
8.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
21300
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2283
2374
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD1 4GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Asgard VMA44UI-MEC1U2AW2 32GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Ramaxel Technology RMSA3310MJ86H9F-3200 4GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZKW 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.K8FB 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 9905630-007.A00G 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Apacer Technology 78.CAGP7.C7Z0B 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMW32GX4M4C3200C14 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAD1 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15S/8G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link