RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Сравнить
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB против Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Средняя оценка
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
38
45
Около 16% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.5
11.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.0
8.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
1900
Около 13.47% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
38
45
Скорость чтения, Гб/сек
15.5
11.7
Скорость записи, Гб/сек
12.0
8.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
1900
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-1900, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
no data
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2283
2387
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB Сравнения RAM
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FADG 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905734-062.A00G 32GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZR 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMW64GX4M4Z2933C16 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVKA 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMD32GX4M4B3000C15 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHAB 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFX 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link