RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Сравнить
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB против Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Средняя оценка
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
38
45
Около 16% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.5
11.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.0
8.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
1900
Около 13.47% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
38
45
Скорость чтения, Гб/сек
15.5
11.7
Скорость записи, Гб/сек
12.0
8.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
1900
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-1900, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
no data
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2283
2387
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB Сравнения RAM
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSX 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CMWX8GF2666C16W4 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Corsair CMH32GX4M2Z3200C16 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMW32GX4M4C3000C15 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston KHX3200C20S4/32GX 32GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBD2 4GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Apacer Technology 78.C2GF2.AU00B 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link