RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
Сравнить
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB против DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Средняя оценка
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
8.1
5.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
45
Около -61% меньшая задержка
Выше скорость чтения
13.2
11.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
45
28
Скорость чтения, Гб/сек
11.9
13.2
Скорость записи, Гб/сек
8.1
5.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2077
1699
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332 16GB
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16/16G 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD1 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Corsair CM4X8GE2400C15K4 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
Samsung M393B1G73QH0-CMA 8GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C16 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3000C15 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2666C16 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston 9905668-002.A00G 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CM4B8G2J3000K15K 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link