Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB

Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB против Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB

Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB

Средняя оценка
star star star star star
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB

Различия

  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    41 left arrow 46
    Около -12% меньшая задержка
  • Выше скорость чтения
    14 left arrow 12.2
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    9.2 left arrow 7.9
    Среднее значение в тестах

Спецификации

Полный список технических характеристик
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR3 left arrow DDR3
  • Задержка в PassMark, нс
    46 left arrow 41
  • Скорость чтения, Гб/сек
    12.2 left arrow 14.0
  • Скорость записи, Гб/сек
    7.9 left arrow 9.2
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    12800 left arrow 12800
Other
  • Описание
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
  • Тайминги / частота
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    2072 left arrow 2356
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения