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Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
比较
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB vs Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
总分
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
总分
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
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需要考虑的原因
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
41
46
左右 -12% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14
12.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.2
7.9
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR3
PassMark中的延时,ns
46
41
读取速度,GB/s
12.2
14.0
写入速度,GB/s
7.9
9.2
内存带宽,mbps
12800
12800
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
排名PassMark (越多越好)
2072
2356
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Good Wealth Technology Ltd. KETECH 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FHP 4GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVKA 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Transcend Information TS2GLH64V1B 16GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Kingston 9905701-021.A00G 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
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