RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C18 16GB
Сравнить
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB против Corsair CMW32GX4M2Z3600C18 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Средняя оценка
Corsair CMW32GX4M2Z3600C18 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Corsair CMW32GX4M2Z3600C18 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
47
Около -68% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.1
11.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.5
8.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C18 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
47
28
Скорость чтения, Гб/сек
11.8
18.1
Скорость записи, Гб/сек
8.0
15.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2061
3706
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.M16 8GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C18 16GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Smart Modular SF4641G8CK8I8HLSBG 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3733C17 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-VK 32GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Kingston CBD26D4U9S8ME-8 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C18 16GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston XRGM6C-MIE 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZ 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8D 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link