RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
ru
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB

Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB

Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB

Средняя оценка
star star star star star
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB Причины выбрать
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Сообщить об ошибке
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Сообщить об ошибке
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    26 left arrow 47
    Около -81% меньшая задержка
  • Выше скорость чтения
    16.8 left arrow 11.8
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    13.5 left arrow 8.0
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    21300 left arrow 12800
    Около 1.66 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR3 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    47 left arrow 26
  • Скорость чтения, Гб/сек
    11.8 left arrow 16.8
  • Скорость записи, Гб/сек
    8.0 left arrow 13.5
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    12800 left arrow 21300
Other
  • Описание
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • Тайминги / частота
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    2061 left arrow 2880

Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB Сравнения RAM

Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.M16 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB Сравнения RAM

Kingston KN2M64-ETB 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения

Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N
модули RAM
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Essencore Limited IM48GU88N26-FFFHMZ 8GB
Essencore Limited IM48GU88N26-FFFHMZ 8GB
модули RAM
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
модули RAM
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Apacer Technology GD2.1527CS.001 8GB
Apacer Technology GD2.1527CS.001 8GB
модули RAM
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston 99U5700-014.A00G 8GB
Kingston 99U5700-014.A00G 8GB
модули RAM
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBD 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBD 16GB
модули RAM
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB
Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB
модули RAM
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMR64GX4M4C3466C16 16GB
Corsair CMR64GX4M4C3466C16 16GB
модули RAM
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
модули RAM
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N
модули RAM
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N
модули RAM
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
модули RAM
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
модули RAM
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Corsair CMT32GX4M2K4000C19 16GB
Corsair CMT32GX4M2K4000C19 16GB
модули RAM