RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Сравнить
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB против Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Средняя оценка
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
47
57
Около 18% меньшая задержка
Выше скорость чтения
11.8
9.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.0
7.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
47
57
Скорость чтения, Гб/сек
11.8
9.5
Скорость записи, Гб/сек
8.0
7.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2061
2213
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.M16 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/4G 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
Kingston KF3600C17D4/8GX 8GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Essencore Limited IM48GU48N28-GGGHM 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CM4X8GE3000C15K4 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston HP24D4U7S8MH-8 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link