RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Сравнить
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB против Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Средняя оценка
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
16.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
58
Около -100% меньшая задержка
Выше скорость записи
13.5
1,950.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
58
29
Скорость чтения, Гб/сек
4,241.0
16.7
Скорость записи, Гб/сек
1,950.7
13.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
651
3076
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB Сравнения RAM
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Corsair CM4B4G1J2400A14K 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR11 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FF 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 8GB 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSEG 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXKB 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMD32GX4M4A2666C16 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link