RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
ru
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

Средняя оценка
star star star star star
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB Причины выбрать
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Сообщить об ошибке
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    24 left arrow 45
    Около -88% меньшая задержка
  • Выше скорость чтения
    16 left arrow 12
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    12.5 left arrow 7.8
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    19200 left arrow 12800
    Около 1.5 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR3 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    45 left arrow 24
  • Скорость чтения, Гб/сек
    12.0 left arrow 16.0
  • Скорость записи, Гб/сек
    7.8 left arrow 12.5
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    12800 left arrow 19200
Other
  • Описание
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Тайминги / частота
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    1939 left arrow 2925

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB Сравнения RAM

Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM

Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения

G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
модули RAM
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB
Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB
модули RAM
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
модули RAM
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Corsair CMT64GX4M8X3000C15 8GB
Corsair CMT64GX4M8X3000C15 8GB
модули RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FB 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FB 16GB
модули RAM
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78HAF-2666 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78HAF-2666 8GB
модули RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFT 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFT 8GB
модули RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/8G 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/8G 8GB
модули RAM
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB
модули RAM
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
модули RAM
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
модули RAM
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
модули RAM
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
модули RAM
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB
Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB
модули RAM