RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Сравнить
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB против Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Средняя оценка
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
12
10.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
44
45
Около -2% меньшая задержка
Выше скорость записи
8.8
7.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
45
44
Скорость чтения, Гб/сек
12.0
10.6
Скорость записи, Гб/сек
7.8
8.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1939
2374
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB Сравнения RAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Corsair CMD8GX4M2B3466C18 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZR 32GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRS 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston ACR26D4U9D8MH-16 16GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Corsair CMK64GX4M4C3000C16 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZA 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Essencore Limited IM4AGU88N24-FFFHA0 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GFX 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Apacer Technology 78.BAGMD.AF20B 4GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-O 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FJ 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link