Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB против Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

Средняя оценка
star star star star star
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB

Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB

Различия

  • Выше скорость чтения
    12 left arrow 10.6
    Среднее значение в тестах
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    44 left arrow 45
    Около -2% меньшая задержка
  • Выше скорость записи
    8.8 left arrow 7.8
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    21300 left arrow 12800
    Около 1.66 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR3 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    45 left arrow 44
  • Скорость чтения, Гб/сек
    12.0 left arrow 10.6
  • Скорость записи, Гб/сек
    7.8 left arrow 8.8
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    12800 left arrow 21300
Other
  • Описание
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
  • Тайминги / частота
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    1939 left arrow 2374
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения