Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB

Wynik ogólny
star star star star star
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

Wynik ogólny
star star star star star
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB

Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB

Różnice

  • Większa szybkość odczytu, GB/s
    12 left arrow 10.6
    Średnia wartość w badaniach
  • Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
    44 left arrow 45
    Wokół strony -2% niższe opóźnienia
  • Większa szybkość zapisu, GB/s
    8.8 left arrow 7.8
    Średnia wartość w badaniach
  • Wyższa przepustowość pamięci, mbps
    21300 left arrow 12800
    Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma

Specyfikacje

Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Główna charakterystyka
  • Typ pamięci
    DDR3 left arrow DDR4
  • Opóźnienie w PassMark, ns
    45 left arrow 44
  • Prędkość odczytu, GB/s
    12.0 left arrow 10.6
  • Prędkość zapisu, GB/s
    7.8 left arrow 8.8
  • Szerokość pasma pamięci, mbps
    12800 left arrow 21300
Other
  • Opis
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
  • Taktowanie / szybkość zegara
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
    1939 left arrow 2374
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Najnowsze porównania