RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Porównaj
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
12
10.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
44
45
Wokół strony -2% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.8
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
45
44
Prędkość odczytu, GB/s
12.0
10.6
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
8.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1939
2374
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FDD1 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingston 9905625-152.A00G 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2133C15-8GFX 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FH1 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLE4G4D30AEEA.K8FE 4GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRGB 16GB
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FD 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FF 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3000 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link