RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Сравнить
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB против Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
38
45
Около -18% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.3
12
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.5
7.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
45
38
Скорость чтения, Гб/сек
12.0
15.3
Скорость записи, Гб/сек
7.8
10.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1939
2346
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB Сравнения RAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Kingston K6VDX7-MIE 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Corsair CMWX8GF2933Z19W8 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMW128GX4M8C3200C16 16GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Corsair CMW256GX4M8E3200C16 32GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Micron Technology 16G2666CL19 16GB
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240082 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 8GB 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FB 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Corsair CMK128GX4M4D3600C18 32GB
Unifosa Corporation GU502203EP0201 1GB
UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link