RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Avant Technology W644GU44J2320NH 32GB
Сравнить
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB против Avant Technology W644GU44J2320NH 32GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Средняя оценка
Avant Technology W644GU44J2320NH 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Avant Technology W644GU44J2320NH 32GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
32
44
Около -38% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.7
13
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.8
8.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
12800
Около 2 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Avant Technology W644GU44J2320NH 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
44
32
Скорость чтения, Гб/сек
13.0
16.7
Скорость записи, Гб/сек
8.2
15.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
25600
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2069
3659
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Avant Technology W644GU44J2320NH 32GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Avant Technology W644GU44J2320NH 32GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRG 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M8FB1 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4133 C19 Series 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
SK Hynix HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMD8GX4M2B3466C18 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Corsair CMWS8GL3200K16W4E 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M471A2K43CBCBCRC 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Corsair CMG32GX4M2E3200C16 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link