RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
ru
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB

Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB против Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB

Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB

Средняя оценка
star star star star star
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB

Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB Причины выбрать
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Сообщить об ошибке
  • Выше скорость чтения
    13 left arrow 12.6
    Среднее значение в тестах
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB Причины выбрать
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Сообщить об ошибке
  • Выше скорость записи
    8.6 left arrow 8.2
    Среднее значение в тестах

Спецификации

Полный список технических характеристик
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR3 left arrow DDR3
  • Задержка в PassMark, нс
    44 left arrow 44
  • Скорость чтения, Гб/сек
    13.0 left arrow 12.6
  • Скорость записи, Гб/сек
    8.2 left arrow 8.6
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    12800 left arrow 12800
Other
  • Описание
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
  • Тайминги / частота
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    2069 left arrow 2193

Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB Сравнения RAM

SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB

Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB Сравнения RAM

Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN26-SE 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения

Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
модули RAM
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
AMD R7416G2400U2S 16GB
AMD R7416G2400U2S 16GB
модули RAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMW128GX4M4E3200C16 32GB
Corsair CMW128GX4M4E3200C16 32GB
модули RAM
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZ 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZ 8GB
модули RAM
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C16 8GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C16 8GB
модули RAM
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Corsair CMT32GX4M2C3466C16 16GB
Corsair CMT32GX4M2C3466C16 16GB
модули RAM
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FN 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FN 16GB
модули RAM
Corsair CMX32GX3M4A1600C11 8GB
Corsair CMX32GX3M4A1600C11 8GB
Kingston 9905663-008.A00G 16GB
Kingston 9905663-008.A00G 16GB
модули RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
модули RAM
PNY Electronics PNY 2GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZKK 16GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZKK 16GB
модули RAM
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
AMD R9S48G3206U2S 8GB
AMD R9S48G3206U2S 8GB
модули RAM
PNY Electronics PNY 2GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMT32GX4M2C3000C15 16GB
Corsair CMT32GX4M2C3000C15 16GB
модули RAM
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Corsair CMK8GX4M2B3866C18 4GB
Corsair CMK8GX4M2B3866C18 4GB
модули RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMW32GX4M4Z4000C18 8GB
Corsair CMW32GX4M4Z4000C18 8GB
модули RAM