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Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
比较
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB vs Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
总分
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
总分
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
13
12.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
8.6
8.2
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR3
PassMark中的延时,ns
44
44
读取速度,GB/s
13.0
12.6
写入速度,GB/s
8.2
8.6
内存带宽,mbps
12800
12800
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
排名PassMark (越多越好)
2069
2193
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB RAM的比较
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB RAM的比较
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN26-SE 8GB
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Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FAD 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
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