RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Transcend Information TS1GSH64V1H 8GB
Сравнить
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB против Transcend Information TS1GSH64V1H 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Средняя оценка
Transcend Information TS1GSH64V1H 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Transcend Information TS1GSH64V1H 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
44
Около -63% меньшая задержка
Выше скорость чтения
14.2
13
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.8
8.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Transcend Information TS1GSH64V1H 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
44
27
Скорость чтения, Гб/сек
13.0
14.2
Скорость записи, Гб/сек
8.2
9.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2069
2330
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Transcend Information TS1GSH64V1H 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Transcend Information TS1GSH64V1H 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZSW 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD2 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
EVGA 8GX-D4-2800-MR 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FAR 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Kingston KHX3000C15D4/8GX 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFST.16FD 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FRS 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston 9905663-016.A00G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link