RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200 16GB
Сравнить
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB против Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
31
45
Около -45% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.7
12.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.6
8.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
12800
Около 2 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
45
31
Скорость чтения, Гб/сек
12.3
16.7
Скорость записи, Гб/сек
8.0
14.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
25600
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1992
3509
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FJ 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston 9905678-102.A00G 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMK64GX4M8A2666C16 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZNC 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662S 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVK 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Crucial Technology BL8G36C16U4WL.M8FE1 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Kingston KHX2400C12D4/16GX 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD1 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C15 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Corsair CMD32GX4M4C3466C16W 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link