RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A2666C18 8GB
Сравнить
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB против Corsair CMSX16GX4M2A2666C18 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Средняя оценка
Corsair CMSX16GX4M2A2666C18 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Corsair CMSX16GX4M2A2666C18 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
36
45
Около -25% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15
12.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.3
8.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A2666C18 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
45
36
Скорость чтения, Гб/сек
12.3
15.0
Скорость записи, Гб/сек
8.0
11.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1992
2653
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A2666C18 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
SK Hynix HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMK64GX4M2A2666C16 32GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FE 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston 9905678-121.A00G 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C14 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK32GX4M4K4333C19 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZC 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD21G800816 1GB
Corsair CMK16GX4M4C3200C15 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link