RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
Сравнить
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB против Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Средняя оценка
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
45
Около -105% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.4
12.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.2
8.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
45
22
Скорость чтения, Гб/сек
12.3
18.4
Скорость записи, Гб/сек
8.0
13.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1992
3178
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C16 Series 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMK128GX4M4D3600C18 32GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CM4X8GF2400Z16K4 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
AMD R748G2606U2S 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Smart Modular SF4641G8CKHIWDFSEG 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GTZR 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G32 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston KKRVFX-MIE 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-32GTZR 32GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Kingston KF3200C20S4/32GX 32MB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Kingston 9965669-008.A03G 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link