Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB против G Skill Intl F4-4000C17-16GVKB 16GB

-->

Средняя оценка

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

Средняя оценка

G Skill Intl F4-4000C17-16GVKB 16GB

G Skill Intl F4-4000C17-16GVKB 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

Причины выбрать
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

Сообщить об ошибке

G Skill Intl F4-4000C17-16GVKB 16GB

Причины выбрать
G Skill Intl F4-4000C17-16GVKB 16GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

27 45

Около -67% меньшая задержка
Выше скорость чтения

22.7 12.3

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

18.5 8.0

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

17000 12800

Около 1.33 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

G Skill Intl F4-4000C17-16GVKB 16GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

45 27
Скорость чтения, Гб/сек

12.3 22.7
Скорость записи, Гб/сек

8.0 18.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек

12800 17000

Other

Описание

PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота

9-9-9-24 / 1600 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

1992 4177

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB

Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB

Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB

Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB

модули RAM

Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB

Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB

Corsair CMR32GX4M4D3000C16 8GB

Corsair CMR32GX4M4D3000C16 8GB

модули RAM

Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB

Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB

G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB

G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB

модули RAM

AMD R5316G1609U2K 8GB

AMD R5316G1609U2K 8GB

Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB

Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB

модули RAM

Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB

Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB

Crucial Technology BL8G36C16U4RL.M8FE1 8GB

Crucial Technology BL8G36C16U4RL.M8FE1 8GB

модули RAM

Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB

Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB

Kingston 9905713-008.A00G 4GB

Kingston 9905713-008.A00G 4GB

модули RAM

Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB

Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB

Kingston 9905700-017.A00G 8GB

Kingston 9905700-017.A00G 8GB

модули RAM

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N-UH 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N

модули RAM

Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB

Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB

G Skill Intl F4-2133C15-4GVK 4GB

G Skill Intl F4-2133C15-4GVK 4GB

модули RAM

Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB

Kingston 9965640-035.C00G 32GB

Kingston 9965640-035.C00G 32GB

модули RAM

Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB

Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB

SK Hynix GKE160UD102408-2133 16GB

SK Hynix GKE160UD102408-2133 16GB

модули RAM

Kingston 9965662-016.A00G 16GB

Kingston 9965662-016.A00G 16GB

V-GEN D4S8GL30A8TS5 8GB

V-GEN D4S8GL30A8TS5 8GB

модули RAM

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB

Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB

модули RAM

SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB

SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB

Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB

Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB

модули RAM