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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GVKB 16GB
比较
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs G Skill Intl F4-4000C17-16GVKB 16GB
总分
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
总分
G Skill Intl F4-4000C17-16GVKB 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-4000C17-16GVKB 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
27
45
左右 -67% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
22.7
12.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
18.5
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GVKB 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
45
27
读取速度,GB/s
12.3
22.7
写入速度,GB/s
8.0
18.5
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1992
4177
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB RAM的比较
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Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GVKB 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology 76.D105G.D090B 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240082 8GB
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Kingston 9965604-027.D00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMR32GX4M4C3000C16 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Kingston 9905734-082.A00G 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingston 9905599-010.A00G 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-3000 4GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
JUHOR JHD3000U1908JG 8GB
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