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Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
比较
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
总分
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
总分
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
10.4
8.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
7.8
5.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
44
47
左右 -7% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
47
44
读取速度,GB/s
10.4
8.5
写入速度,GB/s
7.8
5.6
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2169
1660
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB RAM的比较
V-Color Technology Inc. TD8G16C10-OC18AK 8GB
Kingston 9905430-400.A00LF 2GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3A1 32GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905702-012.A00G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9965596-016.B01G 8GB
Kingston 99U5428-101.A00LF 8GB
Maxsun MSD48G30M3 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston 9932291-002.A00G 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Corsair CMW16GX4M1Z3600C18 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Corsair CMK32GX4M4K4333C19 8GB
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