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Kingston 99U5428-101.A00LF 8GB
Maxsun MSD48G30M3 8GB

Kingston 99U5428-101.A00LF 8GB vs Maxsun MSD48G30M3 8GB

总分
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Kingston 99U5428-101.A00LF 8GB

Kingston 99U5428-101.A00LF 8GB

总分
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Maxsun MSD48G30M3 8GB

Maxsun MSD48G30M3 8GB

差异 规格 评论

差异

Kingston 99U5428-101.A00LF 8GB 需要考虑的原因
Kingston 99U5428-101.A00LF 8GB
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Maxsun MSD48G30M3 8GB
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  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    33 left arrow 80
    左右 -142% 更低的延时
  • 更快的读取速度，GB/s
    14.4 left arrow 5.9
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    11.6 left arrow 3.4
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    21300 left arrow 12800
    左右 1.66 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Kingston 99U5428-101.A00LF 8GB
Maxsun MSD48G30M3 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    80 left arrow 33
  • 读取速度，GB/s
    5.9 left arrow 14.4
  • 写入速度，GB/s
    3.4 left arrow 11.6
  • 内存带宽，mbps
    12800 left arrow 21300
Other
  • 描述
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
  • 时序/时钟速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    968 left arrow 3105

Kingston 99U5428-101.A00LF 8GB RAM的比较

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Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
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Corsair CMK32GX4M4K4333C19 8GB
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内存RAM
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston 9932291-002.A00G 4GB
Kingston 9932291-002.A00G 4GB
内存RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
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Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
内存RAM
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE1 8GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE1 8GB
内存RAM
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Kingston 9905663-016.A00G 16GB
Kingston 9905663-016.A00G 16GB
内存RAM
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
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G Skill Intl F4-2800C15-4GTZ 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZ 4GB
内存RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK32GX4M4C3333C16 8GB
Corsair CMK32GX4M4C3333C16 8GB
内存RAM
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
内存RAM
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
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Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
内存RAM
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
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G Skill Intl F4-3333C16-16GTZR 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZR 16GB
内存RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
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Panram International Corporation M424051 4GB
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Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
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