RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston K6VDX7-MIE 8GB
Сравнить
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB против Kingston K6VDX7-MIE 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Средняя оценка
Kingston K6VDX7-MIE 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Kingston K6VDX7-MIE 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
36
45
Около -25% меньшая задержка
Выше скорость чтения
14.3
12.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.1
8.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
12800
Около 2 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston K6VDX7-MIE 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
45
36
Скорость чтения, Гб/сек
12.3
14.3
Скорость записи, Гб/сек
8.0
8.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
25600
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1992
2332
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Kingston K6VDX7-MIE 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190D 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKW 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16S/8G 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8ET 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GVR 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link