RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston K6VDX7-MIE 8GB
Confronto
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Kingston K6VDX7-MIE 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Punteggio complessivo
Kingston K6VDX7-MIE 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Kingston K6VDX7-MIE 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
36
45
Intorno -25% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.3
12.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.1
8.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
12800
Intorno 2 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston K6VDX7-MIE 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
45
36
Velocità di lettura, GB/s
12.3
14.3
Velocità di scrittura, GB/s
8.0
8.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
25600
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1992
2332
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Kingston K6VDX7-MIE 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston K6VDX7-MIE 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZR 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FB 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston 9905624-010.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Smart Modular SMS4TDC8C1K0446FCG 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 9965643-006.A01G 8GB
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
PNY Electronics 2GBBEAUDCBA 2GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FJ 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFXR 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BZISHC 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FN 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link