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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston K6VDX7-MIE 8GB
比较
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Kingston K6VDX7-MIE 8GB
总分
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
总分
Kingston K6VDX7-MIE 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
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需要考虑的原因
Kingston K6VDX7-MIE 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
36
45
左右 -25% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.3
12.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.1
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
12800
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston K6VDX7-MIE 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
45
36
读取速度,GB/s
12.3
14.3
写入速度,GB/s
8.0
8.1
内存带宽,mbps
12800
25600
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
1992
2332
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Kingston 9965596-036.B00G 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMK64GX4M4B2800C14 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
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