RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Сравнить
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB против Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Средняя оценка
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
35
45
Около -29% меньшая задержка
Выше скорость чтения
14.8
12.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.2
8.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
45
35
Скорость чтения, Гб/сек
12.3
14.8
Скорость записи, Гб/сек
8.0
11.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1992
2336
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Corsair CMK64GX4M8X4200C19 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200D 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Kingston 9965600-012.A02G 16GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Corsair CMK32GX4M4K4000C19 8GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Corsair CM4X16GC3000C16K4D 16GB
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Kingston 9965600-012.A02G 16GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Kingston 99U5713-001.A00G 4GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Corsair CM4X4GF2666Z16K4 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMK32GX4M2L3000C15 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingston 9905711-002.A00G 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link