RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Сравнить
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB против Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
36
45
Около -25% меньшая задержка
Выше скорость чтения
14.2
12.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.7
8.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
45
36
Скорость чтения, Гб/сек
12.3
14.2
Скорость записи, Гб/сек
8.0
10.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1992
2474
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB Сравнения RAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Corsair CMD8GX4M2B3000C15 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 9965640-001.C00G 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Kingston 9905702-012.A00G 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3600C18 4GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Kingston 9905678-173.A00G 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Apacer Technology 78.D1GMM.AU10B 16GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
SK Hynix HMAA4GS6CJR8N-XN 32GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
A-DATA Technology 11137401 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link