RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
Сравнить
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB против Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Средняя оценка
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
19
45
Около -137% меньшая задержка
Выше скорость чтения
19.4
12.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.1
8.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
45
19
Скорость чтения, Гб/сек
12.3
19.4
Скорость записи, Гб/сек
8.0
15.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1992
3314
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 99U5678-029.A00G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 99U5665-004.A00G 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Kingston 9965643-002.A01G 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston 9905598-025.A00G 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMU32GX4M4C3400C16 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Kingston 9905624-013.A00G 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMD64GX4M4B3000C15 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZN 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston 9965600-011.A01G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link