RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
Сравнить
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB против Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Средняя оценка
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
45
Около -67% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.7
12.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
17.8
8.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
12800
Около 2 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
45
27
Скорость чтения, Гб/сек
12.3
18.7
Скорость записи, Гб/сек
8.0
17.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
25600
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1992
3963
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNT 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB
OCZ OCZ2V8002G 2GB
Avant Technology W6451U67J7240NB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMR16GX4M2C 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMK32GX4M2B3000C15 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Avant Technology J641GU42J9266NL 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Mushkin 99[2/7/4]191[F/T] 4GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS624A.C4FB 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston 9965596-019.B01G 4GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Corsair CMH16GX4M2E3200C16 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMK32GX4M2C3000C16 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Inmos + 256MB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C16 Series 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link