RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FD2 4GB
Сравнить
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB против Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FD2 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FD2 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FD2 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
21
48
Около -129% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.7
8.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.6
5.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FD2 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
48
21
Скорость чтения, Гб/сек
8.9
18.7
Скорость записи, Гб/сек
5.9
13.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1420
2807
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FD2 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFX 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.M16FAD 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9965669-025.A00G 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Kingston KF3600C18D4/32GX 32GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMR16GX4M2C 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GVK 32GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FE 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Corsair CMK8GX4M1D2400C14 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVS 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 9905678-173.A00G 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CMH16GX4M2D3600C18 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GVK 16GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link