RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB
Сравнить
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB против G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
17
48
Около -182% меньшая задержка
Выше скорость чтения
21.1
8.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
19.6
5.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
48
17
Скорость чтения, Гб/сек
8.9
21.1
Скорость записи, Гб/сек
5.9
19.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1420
3829
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology BL32G36C16U4BL.M16FB 32GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Apacer Technology GD2.1527WE.001 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Corsair CMT32GX4M4C3466C16 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Corsair CMR32GX4M4C3466C16 8GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
SK Hynix HMA84GR7JJR4N-VK 32GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMR16GX4M2D3200C16 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G24002 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GNT 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link