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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB
比较
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB
总分
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
总分
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
17
48
左右 -182% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
21.1
8.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
19.6
5.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
48
17
读取速度,GB/s
8.9
21.1
写入速度,GB/s
5.9
19.6
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1420
3829
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB RAM的比较
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Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.M16FB 32GB
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Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Asgard VMA42UH-MEC1U2AJ2 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
JUHOR JHD2666U1908JG 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston 9905701-010.A00G 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9965600-023.A00G 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Corsair CMD128GX4M8B3000C16 16GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
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