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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB
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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB
Puntuación global
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
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Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
17
48
En -182% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
21.1
8.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
19.6
5.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
48
17
Velocidad de lectura, GB/s
8.9
21.1
Velocidad de escritura, GB/s
5.9
19.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1420
3829
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
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SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMR16GX4M2K4266C19 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N
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