RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Сравнить
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB против Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Средняя оценка
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
48
77
Около 38% меньшая задержка
Выше скорость записи
5.9
5.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
13.1
8.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
48
77
Скорость чтения, Гб/сек
8.9
13.1
Скорость записи, Гб/сек
5.9
5.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1420
1440
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB Сравнения RAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB
Kingston 9905701-098.A00G 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMU64GX4M4A2666C16 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRS 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston KHX3200C16D4/32GX 32GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKO 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FJ 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston 9965596-019.B01G 4GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Corsair CMK32GX4M2B3333C16 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FE 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 9905700-024.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link