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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Gesamtnote
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Gesamtnote
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
48
77
Rund um 38% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
5.9
5.5
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.1
8.9
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
48
77
Lesegeschwindigkeit, GB/s
8.9
13.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
5.9
5.5
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1420
1440
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB RAM-Vergleiche
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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