RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
ru
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB против Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Средняя оценка
star star star star star
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB

Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Причины выбрать
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Сообщить об ошибке
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB Причины выбрать
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Сообщить об ошибке
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    26 left arrow 48
    Около -85% меньшая задержка
  • Выше скорость чтения
    18.6 left arrow 8.9
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    16.2 left arrow 5.9
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    21300 left arrow 10600
    Около 2.01 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR3 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    48 left arrow 26
  • Скорость чтения, Гб/сек
    8.9 left arrow 18.6
  • Скорость записи, Гб/сек
    5.9 left arrow 16.2
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    10600 left arrow 21300
Other
  • Описание
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • Тайминги / частота
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    1420 left arrow 3756

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Сравнения RAM

G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB

Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB Сравнения RAM

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
модули RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2666 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2666 16GB
модули RAM
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
модули RAM
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
модули RAM
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Avant Technology J641GU42J9266ND 8GB
Avant Technology J641GU42J9266ND 8GB
модули RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston ACR26D4U9S8ME-8X 8GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8X 8GB
модули RAM
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
модули RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMWX8GD3000C16W4D 8GB
Corsair CMWX8GD3000C16W4D 8GB
модули RAM
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
модули RAM
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB
модули RAM
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
модули RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16S/8G 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16S/8G 8GB
модули RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB
модули RAM
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3000 16GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3000 16GB
модули RAM