RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
Сравнить
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB против Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Средняя оценка
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
47
Около -88% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.4
9.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.9
5.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
47
25
Скорость чтения, Гб/сек
9.3
15.4
Скорость записи, Гб/сек
5.9
11.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1413
1870
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB Сравнения RAM
Kingston TSB16D3LS1KBG/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB Сравнения RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
NSITEXE Inc Visenta 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston ACR24D4U7S8MB-8 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Kingston 9905625-142.A00G 16GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K1HU408 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston XCCT36-MIE 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHA0 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston 9905630-025.A00G 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Mushkin MES4S213FF16G28 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K2HU416 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FB 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZR 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link