RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Kingston KHX2133C14D4/4G 4GB
Сравнить
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB против Kingston KHX2133C14D4/4G 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Средняя оценка
Kingston KHX2133C14D4/4G 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Kingston KHX2133C14D4/4G 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
33
41
Около -24% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.9
13.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.7
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Kingston KHX2133C14D4/4G 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
41
33
Скорость чтения, Гб/сек
13.3
15.9
Скорость записи, Гб/сек
9.0
11.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2016
2727
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB Сравнения RAM
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Kingston KHX2133C14D4/4G 4GB Сравнения RAM
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Kingston KHX2133C14D4/4G 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVR 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Corsair CMD16GX4M4B2133C10 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22/16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FBD 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMV16GX4M1A2400C16 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Corsair CMK64GX4M8A2133C13 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Essencore Limited KD48GU481-26N1600 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Corsair CMT64GX4M8C3200C16 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link