RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
Сравнить
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB против Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
36
41
Около -14% меньшая задержка
Выше скорость чтения
13.6
13.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
41
36
Скорость чтения, Гб/сек
13.3
13.6
Скорость записи, Гб/сек
9.0
9.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2016
1778
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB Сравнения RAM
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston MSI24D4D4S8MB-8 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22/16G 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CM4X16GD3200C16K4E 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
DSL Memory D4SS1G081SH24A-A 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FE 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Kingston 9905702-204.A00G 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GRR 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRWWK 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link