RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Сравнить
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB против Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Средняя оценка
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
40
68
Около 41% меньшая задержка
Выше скорость записи
8.9
8.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15
12.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
40
68
Скорость чтения, Гб/сек
12.3
15.0
Скорость записи, Гб/сек
8.9
8.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1789
1904
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Сравнения RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMRX8GD3000C16R4D 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GSXF 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Super Talent F26UB16GH 16GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GVK 32GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kingston 99U5702-095.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMT64GX4M4C3200C16 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXF 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUW0B 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link