RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Porównaj
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Wynik ogólny
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
40
68
Wokół strony 41% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.9
8.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15
12.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
40
68
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
15.0
Prędkość zapisu, GB/s
8.9
8.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1789
1904
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKO 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Corsair CMD32GX4M4B3200C16 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Kingston 9965669-027.A00G 16GB
Corsair CMK16GX4M1B3000C15 16GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Corsair CMW64GX4M2D3000C16 32GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4266 C18 Series 8GB
Corsair CMZ8GX3M2A1600C9G 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FB 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link