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Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
比较
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
总分
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
总分
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
40
68
左右 41% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.9
8.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15
12.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
40
68
读取速度,GB/s
12.3
15.0
写入速度,GB/s
8.9
8.8
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1789
1904
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB RAM的比较
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Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4333C19 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 9965640-035.C00G 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRG 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Kingston ASU21D4U5S1MB-4 4GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
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