RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
Сравнить
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB против Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
40
Около -54% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.9
12.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.1
8.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
40
26
Скорость чтения, Гб/сек
12.3
15.9
Скорость записи, Гб/сек
8.9
11.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1789
2855
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Сравнения RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3000C15 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Corsair CMK64GX4M4E3200C16 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FB 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
EXCELERAM EKBLACK4163016AD 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Corsair CMD32GX4M4A2400C12 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M8FB1 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FG 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 8GB 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Samsung M393A4K40CB2-CTD 32GB
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FA 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266682 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link